Rasterelektronenmikroskopie

Aus F-Praktikum SOWAS Wiki
Version vom 28. April 2010, 12:10 Uhr von Reicherz (Diskussion | Beiträge)
(Unterschied) ← Nächstältere Version | Aktuelle Version (Unterschied) | Nächstjüngere Version → (Unterschied)
Wechseln zu: Navigation, Suche

507 Rasterelektronenmikroskopie (REM)

Das Rasterelektronenmikroskop (REM) dient der Oberflächenstrukturanalyse massiver Proben. Es liefert neben der Abbildung der Oberfläche auch quantitative, lokale Informationen über ihre Elementzusammensetzung. Es wird in der Forschung und Entwicklung in Bereichen wie der Halbleiterphysik, der Nanotechnologie bis hin zur Biologie verwandt. Bei dieser Mikroskopiemethode wird ein sehr fein gebündelter Elektronenstrahl zeilenweise über die Objektoberfläche geführt. Die dabei durch die Primärelektronen im Objekt erzeugten Wechselwirkungsprodukte (Sekundärelektronen, Röntgenstrahlen, etc.) werden erfasst und zur Bilddarstellung verwendet. Das Auflösungsvermögen eines modernen REM liegt bei wenigen nm. Ziel des Praktikumsversuchs ist es die grundlegenden physikalischen Prozesse, die vielfältigen Wechselwirkungen des Elektronenstrahls mit der Probe, zu verstehen. Im Verlauf des Versuchs sollen die Teilnehmer mit der Funktionsweise des REMs vertraut werden und die Bildentstehung und Analysemöglichkeiten des REMs kennen lernen. An Hand der untersuchten Proben werden u.a. die unterschiedlichen Kontrastmechanismen sowie die Wechselwirkungen der Elektronen mit den Proben diskutiert. Es besteht die Möglichkeit eigene Proben mitzubringen, sie hochaufgelöst abzubilden und eine Elementanalyse anzufertigen.

Anleitung