Halbleiterpraktikum: Unterschied zwischen den Versionen
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Im Rahmen des Praktikums stellen die Studenten selbstständig einen einfachen Feldeffekttransistor her. Dabei werden Basistechniken der Halbleiterprozessierung, wie Photolithographie und nasschemisches ätzen, erlernt. Des Weiteren sollen die Studenten mittels fokussierter Ionenimplantation die elektrischen Eigenschaften von Halbleiterheterostrukturen modifizieren. Die elektrische Charakterisierung der hergestellten Bauelemente bildet einen weiteren Schwerpunkt des Praktikums. Hierbei wird moderne elektrische Messtechnik zur Bauelementcharakterisierung eingesetzt. Jeder Praktikumstag wird mit einer Vorlesung von 45 Minuten Dauer eingeleitet, in der die Grundlagen für die Arbeiten des Tages erläutert werden. | Im Rahmen des Praktikums stellen die Studenten selbstständig einen einfachen Feldeffekttransistor her. Dabei werden Basistechniken der Halbleiterprozessierung, wie Photolithographie und nasschemisches ätzen, erlernt. Des Weiteren sollen die Studenten mittels fokussierter Ionenimplantation die elektrischen Eigenschaften von Halbleiterheterostrukturen modifizieren. Die elektrische Charakterisierung der hergestellten Bauelemente bildet einen weiteren Schwerpunkt des Praktikums. Hierbei wird moderne elektrische Messtechnik zur Bauelementcharakterisierung eingesetzt. Jeder Praktikumstag wird mit einer Vorlesung von 45 Minuten Dauer eingeleitet, in der die Grundlagen für die Arbeiten des Tages erläutert werden. | ||
Nach Abschluss des praktischen Teils werten die Studenten ihre Daten zu Hause aus und stellen etwa zwei Wochen später ihre Ergebnisse in einem Vortrag von 45 Minuten vor. Sowohl für die praktischen Arbeiten wie auch für den Vortrag arbeiten die Studenten in Zweiergruppen zusammen. | Nach Abschluss des praktischen Teils werten die Studenten ihre Daten zu Hause aus und stellen etwa zwei Wochen später ihre Ergebnisse in einem Vortrag von 45 Minuten vor. Sowohl für die praktischen Arbeiten wie auch für den Vortrag arbeiten die Studenten in Zweiergruppen zusammen. | ||
| − | Weitere Informationen finden sich auf der Webseite des Lehrstuhls für Angewandte | + | Weitere Informationen finden sich auf der Webseite des Lehrstuhls für Angewandte Festkörperphysik (www.rub.de/afp). |
Aktuelle Version vom 16. November 2009, 13:21 Uhr
Halbleitertechnologie und fokussierte Ionenimplantation
Im Rahmen des Praktikums stellen die Studenten selbstständig einen einfachen Feldeffekttransistor her. Dabei werden Basistechniken der Halbleiterprozessierung, wie Photolithographie und nasschemisches ätzen, erlernt. Des Weiteren sollen die Studenten mittels fokussierter Ionenimplantation die elektrischen Eigenschaften von Halbleiterheterostrukturen modifizieren. Die elektrische Charakterisierung der hergestellten Bauelemente bildet einen weiteren Schwerpunkt des Praktikums. Hierbei wird moderne elektrische Messtechnik zur Bauelementcharakterisierung eingesetzt. Jeder Praktikumstag wird mit einer Vorlesung von 45 Minuten Dauer eingeleitet, in der die Grundlagen für die Arbeiten des Tages erläutert werden. Nach Abschluss des praktischen Teils werten die Studenten ihre Daten zu Hause aus und stellen etwa zwei Wochen später ihre Ergebnisse in einem Vortrag von 45 Minuten vor. Sowohl für die praktischen Arbeiten wie auch für den Vortrag arbeiten die Studenten in Zweiergruppen zusammen. Weitere Informationen finden sich auf der Webseite des Lehrstuhls für Angewandte Festkörperphysik (www.rub.de/afp).
