507 Rasterelektronenmikroskopie

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507 Rasterelektronenmikroskopie (REM)

Das Rasterelektronenmikroskop (REM) dient der Oberflächenstrukturanalyse massiver Proben. Es liefert neben der Abbildung der Oberfläche auch quantitative, lokale Informationen über ihre Elementzusammensetzung. Es wird in der Forschung und Entwicklung in Bereichen wie der Halbleiterphysik, der Nanotechnologie bis hin zur Biologie verwandt. Bei dieser Mikroskopiemethode wird ein sehr fein gebündelter Elektronenstrahl zeilenweise über die Objektoberfläche geführt. Die dabei durch die Primärelektronen im Objekt erzeugten Wechselwirkungsprodukte (Sekundärelektronen, Röntgenstrahlen, etc.) werden erfasst und zur Bilddarstellung verwendet. Das Auflösungsvermögen eines modernen REM liegt bei wenigen nm. Ziel des Praktikumsversuchs ist es die grundlegenden physikalischen Prozesse, die vielfältigen Wechselwirkungen des Elektronenstrahls mit der Probe, zu verstehen. Im Verlauf des Versuchs sollen die Teilnehmer mit der Funktionsweise des REMs vertraut werden und die Bildentstehung und Analysemöglichkeiten des REMs kennen lernen. An Hand der untersuchten Proben werden u.a. die unterschiedlichen Kontrastmechanismen sowie die Wechselwirkungen der Elektronen mit den Proben diskutiert. Es besteht die Möglichkeit eigene Proben mitzubringen, sie hochaufgelöst abzubilden und eine Elementanalyse anzufertigen.

507 Scanning Electron Microscopy (SEM)

Scanning Electron Microscopy (SEM) is one of the most common methods of material characterization. It permits to obtain images of high resolution (down to few nm (~2 nm) and very high focus depth, allowing imaging of very rough surfaces. The downside is that the SEM operates in high vacuum. Furthermore, the sample surface must normally be conductive, which can be achieved with sample coatings if necessary. Most SEMs are equipped with an Energy Dispersive x-ray spectroscopy (EDS) which allows qualitative analysis of chemical elements present in the sample.

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