Spitzenmessplatz
Hat man eine Schaltung oder eine Struktur auf einem Halbleiter gefertigt, so kann man mittels des Spitzenmessplatzes einige bis alle Eigenschaften dieser Schaltung elektrisch ausmessen, ohne dabei den Halbleiter in einen Chipcarrier einzubauen und ohne die Kontakte auf dem Halbleiter mit den Pads des Chipcarriers mittels eines Bonddrahtes zu verbinden.
Dieser experimentelle Aufbau dient demnach der ersten elektrischen Charakterisierung des gefertigten Halbleiters. Da man weder einen Chipcarrier noch Bonddrähte hat geschieht die Kontaktierung des Halbleiters (wie der Name des Aufbaus schon verrät) über feine Spitzen/Nadeln, die mittels Mikrometerschrauben auf die Kontakte positioniert werden. Bei der Positionierung sollte man sich im Klaren sein, dass Vorsicht geboten ist, denn die Spitzen könnten die aufgedampften Strukturen beschädigen. Die Probe wird während der Kontaktierung und des Messens mit Unterdruck an seinem Platz gehalten, so dass die Probe nicht verrutschen kann (sinnvoll ist hierbei möglichst viele Ansauglöcher mit der Probe zu überdecken).
Hat die elektrische Kontaktierung geklappt, so kann man zum Beispiel transistorspezifische Charakteristika aufnehmen.
