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		<title>Band gap engineering - Versionsgeschichte</title>
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		<title>P Lab: /* Präparations- bzw. Untersuchungsmöglichkeiten */</title>
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		<author><name>P Lab</name></author>	</entry>

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		<title>P Lab am 31. Juli 2009 um 10:39 Uhr</title>
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		<author><name>P Lab</name></author>	</entry>

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		<title>P Lab: /* Einführung */</title>
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				<updated>2009-07-31T10:32:58Z</updated>
		
		<summary type="html">&lt;p&gt;‎&lt;span dir=&quot;auto&quot;&gt;&lt;span class=&quot;autocomment&quot;&gt;Einführung&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/p&gt;
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&lt;tr&gt;&lt;td class='diff-marker'&gt;−&lt;/td&gt;&lt;td style=&quot;color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;&quot;&gt;&lt;div&gt;Die Halbleiterphysik hat sich in den letzten Jahrzehnten von elementaren Halbleitern (zuerst Germanium, dann Silizium) zu Verbundhalbleitern aus der III-V bzw. II-VI &lt;del class=&quot;diffchange diffchange-inline&quot;&gt;Hauptgrppe &lt;/del&gt;entwickelt (z.B. AlGaAs). Durch Mischen dieser Elemente ist es möglich die Bandlücke des Halbleiters fast nach Belieben einzustellen, was man ''band gap engineering'' nennt. Dadurch können niederdimensionale Potentialtöpfe hergestellt werden, die direkt aus der elementaren Quantenmechanik berechenbar sind. Eine experimentelle Beschäftigung mit diesen Systemen eröffnet daher den Studierenden die didaktisch seltene Möglichkeit, die in der Theorievorlesung ''Quantenmechanik'' vermittelten Kenntnisse direkt in beobachtbare Ergebnisse umzusetzen, wobei die verwendete &lt;del class=&quot;diffchange diffchange-inline&quot;&gt;Methematik &lt;/del&gt;erstaunlich elementar bleiben kann. Zum Beispiel können auf die Energieniveaus eindimensionaler Quantentöpfe unendlicher Höhe trivial geschlossen, solche endlicher Höhe gut konvergierend iterativ berechnet werden.&lt;/div&gt;&lt;/td&gt;&lt;td colspan=&quot;2&quot;&gt;&amp;#160;&lt;/td&gt;&lt;/tr&gt;
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		<author><name>P Lab</name></author>	</entry>

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		<id>https://wiki.physik.ruhr-uni-bochum.de/fpsowas/index.php?title=Band_gap_engineering&amp;diff=254&amp;oldid=prev</id>
		<title>P Lab: Die Seite wurde neu angelegt: „ == Einführung == Die Halbleiterphysik hat sich in den letzten Jahrzehnten von elementaren Halbleitern (zuerst Germanium, dann Silizium) zu Verbundhalbleitern au...“</title>
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				<updated>2009-07-31T09:48:11Z</updated>
		
		<summary type="html">&lt;p&gt;Die Seite wurde neu angelegt: „ == Einführung == Die Halbleiterphysik hat sich in den letzten Jahrzehnten von elementaren Halbleitern (zuerst Germanium, dann Silizium) zu Verbundhalbleitern au...“&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
== Einführung ==&lt;br /&gt;
Die Halbleiterphysik hat sich in den letzten Jahrzehnten von elementaren Halbleitern (zuerst Germanium, dann Silizium) zu Verbundhalbleitern aus der III-V bzw. II-VI Hauptgrppe entwickelt (z.B. AlGaAs). Durch Mischen dieser Elemente ist es möglich die Bandlücke des Halbleiters fast nach Belieben einzustellen, was man ''band gap engineering'' nennt. Dadurch können niederdimensionale Potentialtöpfe hergestellt werden, die direkt aus der elementaren Quantenmechanik berechenbar sind. Eine experimentelle Beschäftigung mit diesen Systemen eröffnet daher den Studierenden die didaktisch seltene Möglichkeit, die in der Theorievorlesung ''Quantenmechanik'' vermittelten Kenntnisse direkt in beobachtbare Ergebnisse umzusetzen, wobei die verwendete Methematik erstaunlich elementar bleiben kann. Zum Beispiel können auf die Energieniveaus eindimensionaler Quantentöpfe unendlicher Höhe trivial geschlossen, solche endlicher Höhe gut konvergierend iterativ berechnet werden.&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>P Lab</name></author>	</entry>

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